SE97B_1
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Product data sheet
Rev. 01 27 January 2010
42 of 53
NXP Semiconductors
SE97B
DDR memory module temp sensor with integrated SPD
For temp sensor conversion.
For EEPROM read operation.
Fig 34. Average power-on threshold voltage
Fig 35. Average power-on threshold voltage
For EEPROM write operation.
V
DD
= 3.3 V + 150 mV (p-p); 0.1 糉 AC coupling
capacitor; no decoupling capacitor; T
amb
= 25 癈.
Fig 36. Average power-on threshold voltage
Fig 37. Temperature error versus power supply noise
frequency
2.0
1.5
2.5
3.0
V
th
(V)
1.0
T
amb
(癈)
40
120
80
0
40
002aad889
1.0
0.5
1.5
2.0
V
th
(V)
0
T
amb
(癈)
40
120
80
0
40
002aad890
2.0
1.5
2.5
3.0
V
th
(V)
1.0
T
amb
(癈)
40
120
80
0
40
002aae107
noise frequency (Hz)
10
2
10
8
10
7
10
6
10
3
10
5
10
4
002aad892
1
3
5
temp error
(贑)
1
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